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PECVD等離子化學氣相沉積系統I型

發布時間:2017-11-15  瀏覽次數:1530

PECVD 等離子體化學氣相沉積

箱式爐商品規格:PECVD等離子體化學氣沉積
商品簡述:PECVD 等離子體化學氣沉積該產品具有固態等離子源、PECVD化學氣沉積、分開式反應氣體進氣系統,動態襯底溫控,控制真空系統,
適用于室溫至1200℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積,同時可實現TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態或氣態源沉積其它材料。

PECVD 等離子體化學氣沉積參數

型  號

流量控制

清洗鍍膜RF功率

管徑

最大式樣尺寸 in

加熱區

最高

溫度

外形尺寸mm

功率

重 量

 

 

 

(外)mm

 

長度mm

 

 

Kg(約)

NBD-PECVD1200-80ITD2Z

兩路質量流量計

20~200W可調

Φ60Φ80

2~3″

200

1200℃

1300

1260

820

AC220V

4kw

360

*可非標定制,歡迎來電垂詢!

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